Samsung Galaxy S6 с новым внутренним накопителем UFS 2.0

Корейский ресурс ETNews сообщил, что Samsung Galaxy S6 получит внутреннее хранилище нового поколения UFS (Universal Flash Storage) 2.0. Данная технология обеспечивает скорость передачи данных на уровне SSD (твердотельных накопителей), при этом потребление энергии значительно ниже, чем у чипов eMMC. Использование UFS 2.0 должно решить проблемы ускоренной разрядки батареи, а также сильного нагрева. Данный стандарт был разработан Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC), организация была основана в 2007 году компаниями Samsung, Nokia и Micron. Над вторым поколением UFS также работали Toshiba и SK Hynix. Помимо южнокорейской компании, данную технологию также планирует использовать Xiaomi.